oxford牛津PED脉冲电子束沉积镀膜系统

oxford牛津PED脉冲电子束沉积镀膜系统

oxford 牛津PED脉冲电子束沉积镀膜系统

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脉冲电子束沉积(PED)的特点

与CW技术相比,例如传统的电子束蒸发,脉冲系统的主要特点是可以在靶材表面上

产生最高达108W/cm2的高能量密度。因此,靶材的热动力学特性比如熔点和比热等

在蒸发过程中就变得不重要了。这一点对复杂的、多组分材料特别具有优势。与脉

冲激光沉积(PLD)相比,脉冲电子束沉积(PED)技术提供了独一无二的平台,在

一系列具有重要技术价值的基片上沉积复杂材料的薄膜,其独特的优点在于扩展了

材料的范围和应用。这种方法在大批量生产中可以大规模应用且成本低廉

技术指标

一、           PED-120系统的技术指标

l      PEBS-20脉冲电子源和电源

l      真空腔:直径12"

Ø      额定基压:<1×10-6 Torr

l      基片加热器,直径2",带控温器

Ø      氧气可达大气压力

Ø      最高温度:950 °C

Ø      温度均匀性:±5 °C

Ø      温度稳定性:±1 °C

Ø      基片加热器档板

l      靶盒,手动控制

Ø      可放置6个1"的靶或3个2"的靶

Ø      靶与法兰的距离:4"

l       气路

Ø      质量流量计控制进入真空腔的流量,量程100sccm

Ø      控制采用单通道设置/数值显示

l      真空泵系统

Ø      260 l/s 带冷阱的涡轮分子泵,高真空泵

Ø      4 m3/hr无油机械泵

Ø      8"闸板阀,手动控制

Ø      排气/出气阀,用于氧气的安全操作

l      真空计,显示读数

Ø      冷阴极型

Ø      对流型

l      系统框架

Ø      占地面积:22”W x 34”D

Ø      空间:    30”W x 34”D

Ø      总高度:  54"-58"

Ø      标准19"电子元件安装架

Ø      脚轮和水平调节器

l        电源

Ø      110-240 VAC/50 Hz, 20 A,单相

二、PEBS-20脉冲电子源系统的技术指标

组成:

l        PEBS-20脉冲电子源

l        电源

l        电子控制系统

l        预装软件的控制计算机

技术指标:

电压:115-230 VAC, 50/60 Hz, 单相

氧气压力:5-20 mTorr

电子能量:8-20 kV

单次脉冲能量:0.1 – 0.8 J

脉冲能量偏差(Max):±10%

能量转换效率:25-30%

脉冲持续时间:~100 ns

脉冲重复速率(Max):15 Hz

电子束斑面积(Min):6 x 10-2 cm2

电子束斑面积偏差(Max):±20%

脉冲能量密度(Max):1.3 x 108 W/ cm2

Z轴移动距离:50 mm

XY轴移动距离:±20 mm

工作寿命:107 次脉冲

PEBS源的工作温度(Max):85 °C

oxford牛津PLD脉冲激光沉积镀膜系统

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oxford 牛津PLD脉冲激光沉积镀膜系统

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离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术

高性能的IBAD(离子辅助沉积)系统

离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera开发了离子辅助的PLD系统,该系统将PLD在沉积复杂材料方面的优势与IBAD能力结合在一起。得到无人伦比的技术专家知识的支持Neocera离子辅助的PLD系统会得到重要应用经验的支持。系统开发结合了Neocera的工程和工艺经验,保证了最大的用途和工艺性能。

利用离子辅助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria稳定的YSZ基片上,开发了具有下列性能的双轴结构的YBCO薄膜:

l        X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°

l        转变温度Tc88-89K,转变宽度DTc约为约为0.5 K

l        77 K零场强时,临界电流密度Jc范围; 1.52x106 A/cm2

l        77 K时,磁深入深度l: 284nm

l        77 K10G时,表面电阻Rs等于700mW

 Continuous Composition Spread (连续组成扩展)

一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(CCS)方法。

经济的组合合成

组合合成是材料科学中最激动人心的最新进展。在一次镀膜实验中,生产多种不同材料组成的能力,大大的提高了获得具有期望材料性能的最佳组成的速度。然而,现有组合合成系统的高成本对绝大多数研究预算来说都是不切合实际的。

得到Neocera PLD经验的支持

Neoceora已经应用我们丰富的PLD和开发性能可靠的经济型设备的经验,发明了PLD-CCS(脉冲激光沉积连续组成扩展)系统。PLD-CCS受益于多层薄膜沉积的方便性和PLD工艺能在基片上改变二元,假二元,或三元体系的组成这一固有特性。

常规沉积条件下的组合合成

PLD-CCS能以连续的方式,而不是间隔的方式改变材料,没有必要使用掩模。这就允许在每一次循环中,以小于一个单分子层的速率,快速连续沉积每一种组份,其结果是基本等同于共沉积法。事实上,该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶,对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。

Laser MBE (激光分子束外延)

一种纳米尺度薄膜合成的理想方法,PLD和原位高压RHEED的结合,

为单分子水平上的薄膜生长提供了精确控制。

使用激光MBE是纳米技术研究的理想工具

激光MBE是普遍采用的术语,定义了高真空下的PLD与在线工艺监测的反射高能电子衍射(RHEED)的联合应用。该法为用户提供了类似于MBE的薄膜生长的单分子水平控制。随着更多的PLD研究受到纳米技术的驱动,激光MBE变得对用户更加有益。

正确的设计是成功使用RHEEDPLD的重要因数

RHEED通常在高真空(<10-6 torr)环境下使用。然而,因为在某些特殊情况下,PLD采用较高的压力,差动抽气是必要的,维持RHEED枪的工作压力,同时保持500 mTorrPLD工艺压力。同时,设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。

Neocera的激光MBE系统为用户在压力达到500mTorr时所需的单分子层控制。 

 

 

Pioneer240

Pioneer180

Pioneer120

Pioneer80

最大wafer直径

 

4”

2”

1”

0.5”

最大靶材数量

 

61” 32”

61” 32”

61” 32”

41”

压力(Torr)

 

<10-8

<10-6

<10-6

<10-6

真空室直径

 

24”

18”

12” 

8”

基片加热器

 

4”,旋转

3”,旋转

2” 平板

1”,平板

最高样品温度

 

850 ° C

850 ° C

950 ° C

950 ° C

Turbo泵抽速

liters/sec

 

800

260

260

70

计算机控制

 

包括

包括

包括

包括

基片旋转

 

包括

包括

基片预真空室

 

包括

选件

选件

扫描激光束系统

 

包括

选件

靶预真空室

 

包括

IBAD离子束辅助沉积

 

选件

选件

选件

CCS连续组成扩展

 

选件

选件

高压RHEED

 

选件

520 liters/sec

 

a/n

选件